[发明专利]半导体器件与硅衬底的剥离方法无效
| 申请号： | 200610028797.1 | 申请日： | 2006-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101106067A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 周家华 | 申请（专利权）人： | 上海宇体光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302;H01L21/84;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 200032上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种将生长在硅衬底上的半导体器件结构层从硅衬底上分离的方法。通过在具有腐蚀阻挡层的硅衬底上生长AlN中间层，并通过AlN中间层生长半导体结构层。硅衬底分层多次减薄初期，采用物理研磨法或者化学物理研磨法将硅衬底减薄到一定的厚度后，再用化学腐蚀法腐蚀硅衬底。可以利用化学腐蚀法均匀地腐蚀剩余的硅衬底以及中间层。或者，用光刻腐蚀法在腐蚀阻挡层的表面上腐蚀深度达中间层的多个微孔，然后采用对中间层有选择腐蚀性的化学剂来腐蚀中间层，从而将半导体器件结构层从硅衬底上分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 衬底 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种将半导体器件结构层从硅衬底上分离的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：形成具有的埋层的硅衬底，其中埋层的腐蚀速率与硅不同；在硅衬底上生长中间层；通过中间层生长半导体器件结构层；分层多次减薄硅衬底使得半导体器件与硅衬底剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
