[发明专利]探测波长可调的太赫兹光电探测器无效
| 申请号： | 200610025716.2 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1862272A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;张波;余晨辉;李宁;李志锋;陈平平;陈效双 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 田申荣 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种探测波长可调的太赫兹光电探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。它是应用外加磁场为调谐手段对探测频率进行调节的多量子阱结构的THz光电探测器。本发明的优点是克服了n－QWIP器件原理上导致的缺点，抑制了热辅助的暗电流和声子散射几率，增大了光生载流子寿命，提高探测器的响应率，并最终提高了探测器的探测率。本发明器件所用材料制备工艺成熟，材料均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 探测 波长 可调 赫兹 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种探测波长可调的太赫兹光电探测器，其特征在于包括：多量子阱芯片和超导磁体系统；多量子阱芯片由半绝缘的GaAs衬底(1)上依次排列生长的Si掺杂GaAs下电极层(2)、AlGaAs势垒/GaAs势阱组成的多量子阱层(3)、AlGaAs势垒层(4)、Si掺杂GaAs上电极层(5)组成；超导磁体系统包括：计算机(6)，电流控制箱(7)，外壳(8)和内旦(9)之间构成的夹层为液氦池(10)，液氦池内注有液氦，超导线圈(11)置在液氦池内；内旦内为变温室(12)，多量子阱芯片(13)位于变温室底部；被探测的THz入射光通过变温室中的波导管(14)入射到多量子阱芯片上；超导线圈电流的大小由计算机、电流控制箱控制；通过调节超导线圈中电流的大小，来改变多量子阱芯片周围磁场的大小，进而实现对THz探测器探测波长的调谐。
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