[发明专利]一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200610023173.0 | 申请日： | 2006-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1793231A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 邵爱凤 | 申请（专利权）人： | 上海电器科学研究所（集团）有限公司 |
| 主分类号： | C08L79/08 | 分类号： | C08L79/08;C08J5/18;C08K3/36 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 俞宗耀 |
| 地址： | 200063*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，其成分配比为：均苯四甲酸二酐以质量计占30％、4.4/一二氨基二苯醚以质量计占30％、二甲基乙醚胺以质量计占15％、正硅酸乙酯以质量计占5％、甲基三乙氧基硅烷以质量计占6％、异丙醇铝以质量计占4％、N－甲基1－2吡咯烷酮以质量计占适量；其制备方法是：聚酰胺酸在搅拌下加入正硅酸乙酯硫酸铝、水和催化剂制得混合溶液，再亚胺化，可以制得自支撑膜，将聚酰胺酸与三乙胺作用，以甲醇为溶剂进行溶胶－凝胶化反应，可得到含20％Al2O3.SiO2的透明薄膜，采用二胺制得功能化的聚酰胺酸，达到70％仍可得到透明薄膜用苯基三乙基硅氧烷(PTEO)代替TEOS得到SiO2含量45％且相容性良好的透明薄膜，在溶胶－凝胶化过程中加入少量偶联剂有效地增加两相的相容性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电晕 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，其特征在于：将聚酰胺酸通过流延法涂膜和亚胺化工艺及亚胺化程度控制，再经过热处理后，得到耐电晕聚酰亚胺薄膜，其成份配比为：均苯四甲酸二酐以质量计占30％、4.4/一二氨基二苯醚以质量计占30％、二甲基乙醚胺以质量计占15％、正硅酸乙酯以质量计占5％、甲基三乙氧基硅烷以质量计占6％、异丙醇铝以质量计占4％、N-甲基1-2吡咯烷酮以质量计占适量。
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