[发明专利]一种高磁导率、高居里温度的NiZn软磁铁氧体材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200610021761.0 申请日: 2006-09-05
公开(公告)号: CN1929048A 公开(公告)日: 2007-03-14
发明(设计)人: 苏桦;张怀武;唐晓莉;荆玉兰;钟智勇;刘颖力 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01F1/34 分类号: H01F1/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610054四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明在常规高磁导率NiZn铁氧体配方、制备工艺和掺杂方式基础上提供一种兼具高磁导率和高居里温度的NiZn铁氧体材料及其制备方法。所述材料以金属氧化物为原料采用氧化物湿法工艺制成,原料包括Fe2O3、NiO、ZnO、CuO和WO3,各组分的含量为:Fe2O3在50.5~51mol%之间,NiO在13.5~14mol%之间,ZnO在31.5~32mol%之间,CuO在3.5~4.5mol%之间,WO3在0.1~0.3mol%之间。本发明通过降低主配方中ZnO的含量,显著提高了铁氧体的居里温度;同时一方面通过优化配方中Fe2O3和CuO的含量,合理控制材料的磁晶各向异性常数以及烧结密度,另一方面通过提高粉料的预烧温度以及采用特殊的掺杂氧化物WO3来达到改善铁氧体微观结构,达到提高磁导率的目的。采用本发明所述材料可以制备各种高性能宽频带器件。
搜索关键词: 一种 磁导率 居里 温度 nizn 磁铁 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种高磁导率、高居里温度的NiZn软磁铁氧体材料,以金属氧化物为原料采用氧化物湿法工艺制成,其中,金属氧化物原料包括Fe2O3、NiO、ZnO和CuO,其特征在于,所述氧化物原料还包括作为参杂剂的WO3,各组分的含量为:Fe2O3在50.5~51mol%之间,NiO在13.5~14mol%之间,ZnO在31.5~32mol%之间,CuO在3.5~4.5mol%之间,WO3在0.1~0.3mol%之间。
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