[发明专利]IV型凹面全息光栅的制作工艺流程

摘要

IV型凹面全息光栅的制作工艺流程，属于光谱技术领域中涉及的一种光栅的制作工艺流程。本发明要解决的技术问题是提供一种IV型凹面全息光栅的制作工艺流程，解决技术问题的技术方案包括：基底处理、涂胶、前烘、全息曝光、显影、后烘、热熔、离子束刻蚀、清洁处理、镀膜。该IV型凹面全息光栅制作工艺流程是新颖的、低成本的、易于实现的，特别是使用光刻胶热熔法代替了传统的反应离子刻蚀，大大地节约了成本、缩短了制作周期，该种光栅在光学系统中的应用能够减少系统的零部件，可消除光学系统的象散和彗差。

主权项

1、IV型凹面全息光栅的制作工艺流程，其特征在于：包括基底处理(1)、涂胶(2)、前烘(3)、全息曝光(4)、显影(5)、后烘(6)、热熔(7)、离子束刻蚀(8)、清洁处理(9)、镀膜(10)；详细内容如下，基底处理(1)：光栅基底应采用无气泡、无划痕、抛光好的凹面K9光学玻璃，用碳酸钙清洗凹面K9玻璃基底；涂胶(2)：在清洗好的光栅基底上涂敷光刻胶，采用旋转法涂胶，即将光刻胶滴在光栅基底上，通过离心旋转获得均匀一致的光刻胶薄膜；光刻胶采用Shiply1805正性光刻胶，涂胶时的旋转速度控制在1700～5000转/分为好，其甩胶时间不少于30秒，涂敷厚度为300～700nm；前烘(3)：将涂敷完光刻胶后的光栅基底放入烘箱中，然后升高烘箱温度至90℃，开始计时，30分钟后取出；全息曝光(4)：将处理好的涂有光刻胶的光栅基底放入光学零件形成的干涉场中进行曝光，曝光时间为10～120秒；显影(5)：把曝光之后的光栅基底放入显影液中，显影液为5‰的NaOH溶液，在常温下显影，显影时间为10～60秒；后烘(6)：将显影后的光刻胶光栅放入烘箱中，然后升高烘箱温度至120℃，开始计时，30分钟后取出；热熔(7)：完成后烘时不要把光刻胶光栅从烘箱中取出，直接升高烘箱温度至160℃，开始计时，30分钟后取出；离子束刻蚀(8)：将热熔后的光刻胶光栅置入北京Advance离子束研究所生产的LKJ-1C-150离子束刻蚀机中进行离子束刻蚀，刻蚀时间为10-30分钟；清洁处理(9)：将离子束刻蚀后的光栅放入丙酮溶液中清洗掉表面残留光刻胶以及杂质；镀膜(10)：将清洁处理完的离子束刻蚀后的光栅放入真空镀膜机中蒸镀铝膜。