[发明专利]柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 200610016182.7 | 申请日: | 2006-10-19 |
公开(公告)号: | CN101165923A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 方小红;王庆华;赵彦民;冯金晖;杨立 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/02;H01L31/18 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300381天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池,为多层膜结构,包括衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极,其特征是:衬底层为柔性金属材料或聚酰亚胺。柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法,包括衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极的制备,其特点是:衬底用柔性金属或聚酰亚胺膜,清洗柔性衬底,将衬底置入真空中,进行辉光处理后,磁控溅射沉积0.5-1.5μm厚的底电极Mo。本发明的太阳电池具有不怕弯曲、高光电转换效率和高质量比功率等优点,制备方法简单独特、易于卷对卷大面积、大规模连续生产,应用范围广泛。 | ||
搜索关键词: | 柔性 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池,为多层膜结构,包括衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极,其特征是:衬底层为柔性金属材料或聚酰亚胺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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