[发明专利]柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200610016182.7 申请日: 2006-10-19
公开(公告)号: CN101165923A 公开(公告)日: 2008-04-23
发明(设计)人: 方小红;王庆华;赵彦民;冯金晖;杨立 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/02;H01L31/18
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 代理人: 李凤
地址: 300381天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池,为多层膜结构,包括衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极,其特征是:衬底层为柔性金属材料或聚酰亚胺。柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法,包括衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极的制备,其特点是:衬底用柔性金属或聚酰亚胺膜,清洗柔性衬底,将衬底置入真空中,进行辉光处理后,磁控溅射沉积0.5-1.5μm厚的底电极Mo。本发明的太阳电池具有不怕弯曲、高光电转换效率和高质量比功率等优点,制备方法简单独特、易于卷对卷大面积、大规模连续生产,应用范围广泛。
搜索关键词: 柔性 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池,为多层膜结构,包括衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极,其特征是:衬底层为柔性金属材料或聚酰亚胺。
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