[发明专利]提高P型硅外延电阻率一致性的控制方法无效
| 申请号： | 200610014305.3 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1870219A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;檀柏梅 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘英兰 |
| 地址： | 30013*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及提高P型硅外延电阻率一致性的控制方法，其步骤如下：(1)硅片抛光清洗后进行背封，即浸泡于含有双氧水或臭氧的纯水中，使硅片表面生成洁净氧化层；(2)外延前提高赶气温度80－120℃，迅速改变气体流速，反复变化4－12个周期，使滞留层内的杂质浓度降低3－6个数量级；(3)变速赶气后，立即降温至生长温度，生长本征层，将石墨基座衬底正、侧面和与石墨接触边缘全部封闭；(4)再进行3－6个周期变温赶气；(5)按所需的掺杂浓度对外延系统进行预掺杂，向外延系统中通入掺杂气体0.5－3min，使外延系统中的杂质浓度达到饱和。该方法通过对外延系统的预处理及表面本征层的制备，实现掺杂杂质浓度的控制，有效避免了自掺杂效应的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 外延 电阻率 一致性 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高P型硅外延电阻率一致性的控制方法，其实施步骤是：(1)硅片抛光清洗后进行背封，即浸泡于含有双氧水或臭氧的纯水中，使硅片表面生成洁净氧化层；(2)外延前提高赶气温度80-120℃，迅速改变气体流速，反复变化4-12个周期，使滞留层内的杂质浓度降低3-6个数量级；(3)变速赶气后，立即降温至生长温度，生长本征层，将石墨基座衬底正、侧面和与石墨接触边缘全部封闭；(4)再进行3-6个周期变温赶气；(5)按所需的掺杂浓度对外延系统进行预掺杂，向外延系统中通入掺杂气体0.5-3min，使外延系统中的杂质浓度达到与所需的掺杂浓度相一致。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
