[发明专利]一种导电聚合物插层水滑石及其制备方法无效
| 申请号： | 200610011345.2 | 申请日： | 2006-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1827702A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 段雪;卫敏;田晓飞 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08L101/12 | 分类号： | C08L101/12;C08G73/02;C08G61/12;C08K3/34 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100029北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种导电聚合物插层水滑石及其制备方法，属于有机－无机复合材料及其制备技术领域。本发明的导电聚合物插层水滑石为超分子结构，其化学式为：(M2+)1－x(M3+)x (OH) 2 (CP)a。制备方法是先制备出用于离子交换的硝酸根水滑石前体，再通过离子交换的方法将带有亲水性侧基的导电聚合物单体或可聚合单元插入水滑石层间，最后将所得组装体在氮气氛中280－320℃进行热处理10－30分钟，获得导电聚合物插层水滑石复合材料。优点在于：实现了聚合物单体与具有较强氧化性的硝酸根离子在水滑石层间的共插层，通过在惰性气氛中的热处理制备了一种纯净的导电聚合物插层水滑石有机－无机复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 聚合物 插层水 滑石 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种导电聚合物插层水滑石，其特征在于；导电聚合物插层水滑石为超分子结构，其晶体结构为类水滑石材料的晶体结构，其化学式为：(M2+)1-x(M3+)x(OH)2(CP)a，其中M2+为Cu2+，Zn2+，Ni2+，Mn2+，Co2+或Fe2+中的任何一种；M3+为Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任何一种；CP分别代表层间导电聚合物阴离子，其单体为带有亲水性侧基的苯胺、吡咯、噻吩单体衍生物或可聚合单元；0.25≤x≤0.33；a为CP的数量，a＜X。
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