[发明专利]晶片承载盘保护层的制造方法无效
| 申请号： | 200610007915.0 | 申请日： | 2006-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101024213A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 陈国栋 | 申请（专利权）人： | 陈国栋 |
| 主分类号： | B05D1/00 | 分类号： | B05D1/00;B05D7/24;B05D3/02;H01L21/673;C23C16/54;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;方挺 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶片承载盘保护层的制造方法，用以在机台反应室中承载晶片进行晶片制造工艺或清洗程序时，提高该承载盘的抗蚀性，其中主要提供有以石墨与陶瓷基材为主要材质的晶片承载盘，该承载盘正面上设有用以容置承载晶片的容置空间，然后在欲涂布于承载盘表面的碳化硅加入具有耐高温特性的环氧树脂，组合成混合物，通过浸泡程序使该混合物直接覆盖于承载盘外表面，经过烘烤程序后形成均匀保护层，以降低承载盘表面产生剥落或形变的机会。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 承载 保护层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片承载盘保护层的制造方法，包括下列步骤：a)提供已成形的承载盘；b)将已调制完成的混合物直接覆盖于所述承载盘的外表面上；c)所述混合物在所述承载盘外表面形成保护层。
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