[发明专利]立式分批处理装置

摘要

本发明提供一种立式分批处理装置，为了去除多个被处理体上的半导体氧化膜，将上述半导体氧化膜变换为比上述半导体氧化膜易分散或升华的中间体膜。该装置包括：从配置于处理区域外侧的第1供给口向上述处理区域供给第1处理气体的第1处理气体供给系统；从配置于上述第1供给口与上述处理区域之间的第2供给口向上述处理区域供给第2处理气体的第2处理气体供给系统。在上述第1供给口与上述第2供给口之间，配置通过激发上述第1处理气体从而生成第1活性种的等离子体生成区域。利用上述第1活性种与上述第2处理气体的反应，生成为了形成上述中间体膜而与上述半导体氧化膜反应的反应物质。

主权项

1.一种立式分批处理装置，其为了去除多个被处理体上的半导体氧化膜，而以将所述半导体氧化膜变换为比所述半导体氧化膜易分解或升华的中间体膜的方式构成，其特征在于，包括：用于形成容纳所述被处理体的气密的处理区域的处理容器；在所述处理区域内以彼此相互间隔、叠置的状态来保持所述被处理体的支架；从配置于所述处理区域的外侧的第1供给口向所述处理区域供给第1处理气体的第1处理气体供给系统；从配置于所述第1供给口与所述处理区域之间的第2供给口向所述处理区域供给第2处理气体的第2处理气体供给系统；配置在所述第1供给口与所述第2供给口之间、通过激发所述第1处理气体从而生成第1活性种的等离子体生成区域，利用所述第1活性种与所述第2处理气体的反应，生成为了形成所述中间体膜而与所述半导体氧化膜反应的反应物质；和从隔着所述处理区域配置于与所述第2供给口相对向位置上的排气口将所述处理区域内进行真空排气的排气系统。