[发明专利]碳纳米管阴极及其制造方法无效
| 申请号： | 200610006775.5 | 申请日： | 2006-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1819099A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 仓知宏行;上村佐四郎 | 申请（专利权）人： | 诺利塔克股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304;H01J29/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种碳纳米管阴极包括衬底、第一层、第二层和碳纳米管。衬底由导体制成。第一层由氧化铝制成并且形成在衬底上。第二层形成在第一层上，并且由充当碳纳米管形成催化剂的金属材料制成。碳纳米管从金属材料长出。还公开了一种制造碳纳米管阴极的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阴极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碳纳米管阴极制造方法，其特征在于包括以下步骤：在由导体制成的衬底(101)上形成由氧化铝制成的第一层(102)；在所述第一层上形成第二层(103)，第二层(103)由充当碳纳米管形成催化剂的金属材料制成；和将其上形成了第一层和第二层的衬底安排在反应器(104)中，并且在反应器中引入碳源气体(a)，以通过化学气相沉积在衬底上生长多个碳纳米管(106)。
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