[发明专利]双极性晶体管及相关的制造方法无效
| 申请号： | 200610006071.8 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1828929A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 徐永大;梁奉吉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/72;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了包括具有基本相同高度的发射极端子和基极端子的双极性晶体管及其制造方法。双极性晶体管包括形成于作为集电极的半导体层上并作为基极的硅－锗层。双极性晶体管还包括具有用于发射极端子和集电极端子的接触窗口的绝缘层。通过形成填充接触窗口的多晶硅层且在多晶硅层上执行平面化工艺来形成发射极和集电极端子。执行离子注入工艺来形成多晶硅发射极端子和多晶硅基极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 晶体管 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：具有第一导电型的第一半导体层；具有第二导电型且形成于所述第一半导体层上的第二半导体层；以及具有第一导电型的第一半导体图案和具有第二导电型的第二半导体图案，两者在所述第二半导体层上彼此分开形成，其中，所述第一半导体图案的高度基本等于所述第二半导体图案的高度。
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