[发明专利]用于半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610005816.9 | 申请日： | 2002-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1825553A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;下村明久;大谷久;广木正明;田中幸一郎;志贺爱子;秋叶麻衣;笠原健司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/268 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据TFT排列，实现对晶粒的位置控制，并且同时增加在结晶过程期间的处理速度。更具体地说，提供了一种用于半导体器件的制造方法，在这种制造方法中，通过人为控制的超级横向生长，能够连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并能够提高在激光结晶过程期间的基底处理效率。在该用于半导体器件的制造方法中，不对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便至少最低使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以被缩短，从而使之有可能加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法，以便有可能解决传统SLS方法固有的基底处理效率差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于具有薄膜晶体管的半导体器件的制造方法，包括：在绝缘表面上形成非晶半导体膜；和照射激光，以便对其中形成薄膜晶体管的有源层的区域执行晶化，其中该激光是具有几个MHz的重复频率的脉冲振荡的激光；和其中该激光在非晶半导体膜上移动的方向与其中载流子在薄膜晶体管中在通道形成区中移动的方向平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
