[发明专利]具有径向交替凹槽段结构的化学机械抛光垫有效
| 申请号： | 200610004830.7 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1803398A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | C·L·埃尔姆蒂;J·J·亨敦;G·P·穆尔唐尼 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00;B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有环形抛光轨迹(122)并包括大量横跨该抛光轨迹的凹槽(148)的抛光垫(104)。每个凹槽包括位于抛光轨迹内的多个流动控制段(CS1－CS3)和至少两个斜率的突变(D1、D2)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 径向 交替 凹槽 结构 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
1.一种抛光垫，它包括：a)一个抛光层，其构造为用来在抛光介质存在的条件下，对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种进行抛光，所述抛光层具有旋转中心，并包含与该旋转中心同心的环状抛光轨迹，该抛光轨迹具有一宽度；b)位于所述抛光层中的许多凹槽，各个凹槽横跨所述环形抛光轨迹的整个宽度，所述凹槽的非本征曲率具有至少两个位于所述环形抛光轨迹内的突变，所述至少两个突变的方向互相相反，以增大或减小所述非本征曲率的值，并具有从第一突变径向向内的第一方向、位于第一突变和第二突变之间的第二方向、以及从第二突变径向向外的第三方向，并且至少一对相邻方向之间的方向改变为-85°至85°。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，未经罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610004830.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
