[发明专利]光电转换装置的制造方法和光电转换装置有效

专利信息
申请号: 200610004704.1 申请日: 2006-02-15
公开(公告)号: CN1822399A 公开(公告)日: 2006-08-23
发明(设计)人: 室园干男;日比野武司;毛利升;朴永太;中村俊之;小谷嘉明 申请(专利权)人: 珂琳21风险投资株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 黄剑锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及具备球状的光电转换元件和支持体的光电转换装置的制造方法、及光电转换装置,所述支持体具备用于一个一个地设置上述元件的多个凹部。事先在兼作第2导电体层的支持体的凹部底部涂敷导电粘合剂,在上述凹部底部,安装包含有球状的第1半导体和覆盖其表面的第2半导体层的元件。从而将元件固定在支持体上,并且与第2半导体层电连接。在该支持体的背面接合、并形成了成为导电通路的孔的电绝缘层上,形成将各元件的第1半导体的电极相互连接的第1导电体层。
搜索关键词: 光电 转换 装置 制造 方法
【主权项】:
1、一种光电转换装置的制造方法,所述光电转换装置包括:多个大致球状的光电转换元件,具备球状的第1半导体和覆盖其表面的第2半导体层,所述第2半导体层具有使所述第1半导体的一部分暴露的开口部,在所述第1半导体的暴露部形成有电极;以及支持体,在表面具有邻接的多个凹部,该凹部用于一个一个地设置所述光电转换元件,所述凹部在底部具有比所述光电转换元件小的孔,该支持体兼作与设置于所述凹部中的各光电转换元件的第2半导体层电连接的第2导电体层;所述光电转换元件通过导电粘合剂固定在所述凹部内,以使所述第2半导体层与所述孔的边缘部接触,且所述第1半导体的暴露部与支持体的背面侧相对;在所述支持体的背面,第1导电层和电绝缘层接合着,该电绝缘层使所述支持体与所述第1导电体层绝缘,所述第1导电体层通过设在所述电绝缘层上的孔,与所述电极电连接;所述光电转换装置的制造方法包括如下工序:(a)准备多个大致球状的光电转换元件A1的工序,所述光电转换元件A1具备球状的第1半导体和覆盖其整个表面的第2半导体层;(b)在所述光电转换元件A1的第2半导体层上形成使所述第1半导体的一部分暴露的开口部,得到光电转换元件A2的工序;(c)在所述光电转换元件A2的第1半导体的暴露部形成电极,得到带电极的光电转换元件A3的工序;(d)准备所述支持体的工序;(e)在所述支持体的所述孔的周缘部涂敷导电粘合剂的工序;(f)在所述支持体的凹部设置所述光电转换元件A1~A3的任一个,以使所述第2半导体层接触所述支持体的孔的边缘部,通过所述导电粘合剂使所述第2半导体层在电学上和物理上连接到所述支持体上的工序;(g)在所述支持体的背面形成电绝缘层的工序;(h)在所述电绝缘层上形成孔的工序,该孔成为相互电连接所述光电转换元件A3的电极的导电通路;(i)在所述电绝缘层之上形成第1导电体层的工序,该第1导电体层将暴露于所述孔内部的电极相互电连接。
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