[发明专利]用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法

摘要

一种用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法，其工艺步骤如下：1.在熔石英衬基表面上淀积衰减型移相层薄膜；2.在衰减型移相层薄膜表面上甩电子束光刻胶，并进行电子束光刻、显影；3.各向异性刻蚀衰减型移相层薄膜；4.去除电子束光刻胶；5.在衰减型移相层薄膜表面上大面积淀积吸收体材料铬；6.各向同性刻蚀吸收体材料铬；7.清洗；8.特征尺寸及相对定位测量；9.缺陷检测与修补；10.衰减型移相器检测；11.安装表面粘贴膜，完成侧墙铬衰减型移相掩模的制作。

主权项

1、一种用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法，首先按照常规衰减型移相掩模的制作方法制作出常规衰减型移相掩模，在大面积淀积吸收体材料铬，最后各向同性刻蚀吸收体材料铬，仅留下衰减型移相层材料侧墙铬，从而得到用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模；其特征在于，其步骤如下：步骤1、在熔石英衬基表面上淀积衰减型移相层薄膜；步骤2、在衰减型移相层薄膜表面上甩电子束光刻胶，并进行电子束光刻、显影；步骤3、各向异性刻蚀衰减型移相层薄膜；步骤4、去除电子束光刻胶；步骤5、在衰减型移相层薄膜表面上大面积淀积吸收体材料铬；步骤6、各向同性刻蚀吸收体材料铬；步骤7、清洗；步骤8、特征尺寸及相对定位测量；步骤9、缺陷检测与修补；步骤10、衰减型移相器检测；步骤11、安装表面粘贴膜，完成侧墙铬衰减型移相掩模的制作。