[发明专利]没有内藏大孔隙的Au－Sn合金凸块及其制造方法有效
| 申请号： | 200580052111.6 | 申请日： | 2005-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101313396A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 石川雅之;小日向正好;三岛昭史 | 申请（专利权）人： | 三菱麻铁里亚尔株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C5/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供没有内藏大孔隙的Au－Sn合金凸块及其制造方法。所述没有内藏大孔隙的Au－Sn合金凸块，其具有含有20.5～23.5质量％Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成，并且在坯料中具有富Sn初晶相结晶析出0.5～30面积％的组织。 | ||
| 搜索关键词： | 没有 内藏 孔隙 au sn 合金 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块，其具有含有20.5～23.5质量％Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成，并且在坯料中具有富Sn初晶相结晶析出0.5～30面积％的组织。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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