[发明专利]使用可变磁场控制生长的硅晶体的熔体－固体界面形状无效
| 申请号： | 200580048849.5 | 申请日： | 2005-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101133193A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | Z·陆 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/30 | 分类号： | C30B15/30;C30B15/00;C30B15/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;秘凤华 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于控制直拉法晶体生长装置内的晶体生长的方法和系统。在晶体生长装置内施加磁场，并且在从熔体拉制晶锭的同时改变该磁场以控制熔体－固体界面的形状。熔体－固体界面的形状响应于根据晶锭的长度改变的磁场形成为预期的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 可变 磁场 控制 生长 晶体 固体 界面 形状 | ||
【主权项】：
1.一种控制晶体生长装置内的晶体生长的系统，所述晶体生长装置具有容纳半导体熔体的被加热的坩埚，从该半导体熔体根据直拉法工艺生长单晶体晶锭，所述晶锭在从熔体拉制的籽晶上生长，所述系统包括：位于坩埚附近的用于向熔体施加会切磁场的第一和第二线圈；用于向线圈供电的可变电源；以及用于在从熔体拉制晶锭的同时改变电源的控制器，所述可变电源响应于控制器改变磁场，以控制相对于熔体和晶锭之间的熔体-固体界面的磁场的会切点位置，以便生成预期的熔体-固体界面形状，所述预期的熔体-固体界面形状与晶锭的长度有关。
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