[发明专利]磁记录介质、其制造方法以及磁记录和再现装置无效

专利信息
申请号: 200580048297.8 申请日: 2005-10-27
公开(公告)号: CN101120403A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 大泽弘;清水谦治 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/738 分类号: G11B5/738;G11B5/73;G11B5/64;G11B5/851;G11B5/65
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;于静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在能够获得更高记录密度的磁记录介质中,提供一种具有更高矫顽磁力和更低噪音的磁记录介质及其制造方法、以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于,至少包括:非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层,它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上,以及所述非磁性内涂层的至少一层由WV型多组分体心立方晶体合金构成。
搜索关键词: 记录 介质 制造 方法 以及 再现 装置
【主权项】:
1.一种磁记录介质,至少包括:非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层,它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上,其中所述非磁性内涂层的至少一层由多组分体心立方晶体合金构成,该合金包括:由Cr和V构成的A组元素中的至少一种元素、由Mo和W构成的B组元素中的至少一种元素、以及由Nb、Ta和Ti构成的C组元素中的至少一种元素。
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