[发明专利]一种功率半导体器件无效
| 申请号： | 200580048099.1 | 申请日： | 2005-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101120448A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李容源;赵文秀 | 申请（专利权）人： | KEC股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谢顺星 |
| 地址： | 韩国首*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开的是一种功率半导体器件，包括传导低密度外延层；第一传导区，具有许多以预定的间距和深度线性地形成在外延层表面上的第一传导层，以及大量的以预定间距线性地形成并和第一传导层末端间隔预定距离的第二传导层；具有比第一和第二传导层更小宽度和深度的第二传导区，以使沟道能分别地形成在第一和第二传导层上；栅氧，具有形成在外延层表面比第一传导层更小宽度的第一窗口和形成在外延层表面比第二传导层更小宽度的第二窗口；形成在栅氧上的多晶硅栅。本发明的功率半导体器件具有在平面上从任何上下左右方向上传送栅极信号的能力，以使减少在栅极信号的传输速度和阻抗方面的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件包括：传导低密度外延层；第一传导区，具有大量的以预定的间距和深度直线地形成在外延层表面第一传导层，和大量的以预定的间距直线地形成并以预定的间距远离第一传导层末端的第二传导层；第二传导区，具有比第一和第二传导层更小的宽度和深度，以使沟道能分别地形成在第一和第二传导层；栅氧，具有形成在外延层表面的第一窗口，其中第一窗口的宽度小于第一传导层，且具有宽度小于第二传导层的第二窗口；以及形成在栅氧上的多晶硅栅。
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