[发明专利]在晶片平面上制造SiC组件有效
| 申请号： | 200580047918.0 | 申请日： | 2005-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101116179A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·韦德纳;罗伯特·温克 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 谢强 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造至少一个半导体元件组(3)、尤其SiC半导体元件组(3)的方法。本发明的特征在于，在基层上、尤其在晶片(7)上制造多个半导体元件(1、5)；测试各半导体元件(1、5)确定有工作能力的半导体元件(1)；组合至少一个包括多个有工作能力的半导体元件(1)的半导体元件组(3)，该半导体元件组构成相连的面结构；电并联半导体元件组(3)的有工作能力的半导体元件(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 平面 制造 sic 组件 | ||
【主权项】：
1.一种制造至少一个半导体元件组(3)，尤其SiC半导体元件组(3)的方法，包括步骤-在基层上，尤其在晶片(7)上制造多个半导体元件(1、5)，-测试各半导体元件(1、5)确定有工作能力的半导体元件(1)，-组合至少一个包括多个有工作能力的半导体元件(1)的半导体元件组(3)，它构成相连的面结构，-电并联半导体元件组(3)的有工作能力的半导体元件(1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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