[发明专利]用于激光软标印的方法和系统有效

专利信息
申请号: 200580046069.7 申请日: 2005-11-11
公开(公告)号: CN101098769A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 古博;乔纳森·S·艾尔曼 申请(专利权)人: 通明国际科技有限公司
主分类号: B23K26/00 分类号: B23K26/00
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 代理人: 霍育栋;郑霞
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种在半导体晶片上标印软标印的激光标印系统,包括设定脉冲宽度(例如,10-200纳秒)的控制器,所述脉冲宽度影响将形成的软标印的深度。所述控制器进一步设定所述一个或多个输出脉冲的脉冲能量(例如,600至1100微焦),以选择性地提供具有用于产生软标印的设定总输出能量的一个或多个输出脉冲。
搜索关键词: 用于 激光 软标印 方法 系统
【主权项】:
1.一种标印半导体晶片以在所述晶片上形成软标印的激光标印方法,所述方法包括:设定一个或多个激光脉冲的激光脉冲宽度,以选择性地提供具有一个或多个设定的脉冲宽度的一个或多个激光输出脉冲,所述设定的脉冲宽度影响将形成的软标印的深度,所述标印深度实质上取决于所述一个或多个设定脉冲宽度;设定所述一个或多个输出脉冲的脉冲能量,以选择性地提供具有设定的总输出能量的所述一个或多个输出脉冲,所述设定的总输出能量在用于产生所述软标印的可接受的操作能量窗内;以及将具有所述一个或多个设定脉冲宽度和设定总输出能量的所述一个或多个输出脉冲传递到所述晶片的区域,以使如由所述一个或多个设定脉冲宽度和设定总输出能量所确定的所述区域内的能量密度修改基片材料,并因而产生具有预定范围内的所述标印深度的所述软标印。
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