[发明专利]使用含碱层的过程和光电装置无效
| 申请号： | 200580045182.3 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101443929A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 约翰·R·塔特尔 | 申请（专利权）人： | 德斯塔尔科技公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述开发光电装置的产品和方法，其使用含碱混合相半导体源层来增强电池效率和最小化分子结构缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 含碱层 过程 光电 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种用于光电装置的混合相半导体源层，其包含半导体层和碱性材料，其中所述半导体层和所述碱性材料分别被合成再混合，接着沉积在衬底上。
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