[发明专利]晶片表面处理方法

摘要

本发明涉及一种处理称为施主晶片(10)的第一晶片和称为接收晶片(20)的第二晶片的任一个或两个称为键合表面的表面(12，22)的方法，这两个晶片将互相键合。该方法特征之处在于，它包括通过向所述键合表面(12，22)施加处理溶液，在键合所述施主晶片(10)和接收晶片(20)之前立即实施的清洗及激活步骤。该溶液包含至少97％的氨的水溶液(NH₄OH)，优选为去离子水溶液，其重量浓度范围约从0.05％至2％。本发明适合制造用于光学、电子学或光电子学领域的结构。

主权项

1、一种处理称为“施主”晶片的第一晶片(10)和称为“接收”晶片的第二晶片(20)的一个或另一个或两个称为“键合”表面的表面(12，22)的方法，这两个晶片将互相键合，以制造用于光学、电子学或光电子学领域的结构，该方法特征在于：其包括通过向所述键合表面(12，22)施加称为“表面处理”的溶液，在键合所述施主晶片(10)和接收晶片(20)之前立即实施的清洗及激活步骤，该溶液包含至少约97％的氨的水溶液(NH4OH)，优选为去离子水溶液，重量浓度范围约从0.05％至2％。