[发明专利]具有高热电优值的纳米复合物有效
| 申请号： | 200580044842.6 | 申请日： | 2005-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101371374A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | G·陈;Z·任;M·德雷塞尔豪斯 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院;波士顿大学信托人 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张轶东;韦欣华 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明广泛涉及显示出增强热电性能的纳米复合物热电材料。该纳米复合物材料包括两种或更多组分，并且至少一种组分形成该复合材料内部的纳米结构。该组分被选择为使得复合物的热导率降低而基本上没有使复合物的电导率降低。适当的组分材料显示出相似的电子能带结构。例如，在组分的交界面处，一种组分材料的导带或者价带中的至少一种和另一组分材料的相应谱带之间的谱带边缘间隙可以小于约5kBT，其中kB是玻耳兹曼常数并且T是所述纳米复合物组合物的平均温度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 热电 纳米 复合物 | ||
【主权项】：
1.热电纳米复合物半导体组合物，包括：半导体主体材料，以及分布于所述主体材料内部的大量纳米夹杂物，所述夹杂物由半导体夹杂材料形成，其中在所述主体材料和夹杂材料之间这两种材料的交界面处的导带边缘偏移或价带边缘偏移小于约5kBT，其中kB是玻耳兹曼常数并且T是所述纳米复合物组合物的平均温度。
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