[发明专利]磺化多嵌段共聚物以及使用该共聚物的电解质膜有效
申请号: | 200580042450.6 | 申请日: | 2005-12-14 |
公开(公告)号: | CN101076551A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 张宰赫;太泳智;申程圭;李奉根 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | C08G75/20 | 分类号: | C08G75/20;C08G65/38;C08J5/22;H01M8/10 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱梅;徐志明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明披露了一种磺化多嵌段共聚物,其包含具有由下述化学式1a表示的重复单元的亲水性嵌段(X)和具有由下述化学式2表示的重复单元的疏水性嵌段(Y),其中,亲水性嵌段(X)中的化学式1a表示的重复单元的数量(m)和疏水性嵌段(Y)中的化学式2表示的重复单元的数量(n)满足4≤m≤400和4≤n≤400的条件。本发明还披露了由该磺化多嵌段共聚物制得的电解质膜以及使用该电解质膜的燃料电池。 | ||
搜索关键词: | 磺化 多嵌段 共聚物 以及 使用 电解 质膜 | ||
【主权项】:
1、一种磺化多嵌段共聚物,其包含具有由下述化学式1a表示的重复单元的亲水性嵌段(X)和具有由下述化学式2表示的重复单元的疏水性嵌段(Y),其中,亲水性嵌段(X)中的化学式1a表示的重复单元的数量(m)和疏水性嵌段(Y)中的化学式2表示的重复单元的数量(n)满足4≤m≤400和4≤n≤400的条件:[化学式1a]
[化学式2]
其中Ar1为由下述化学式3表示的成键单元;Ar2a为由下述化学式4a表示的成键单元;以及Ar3为由下述化学式5表示的成键单元;[化学式3]
其中A为直接键合、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-C(CH3)2-或-C(CF3)2-;以及R1~R8各自独立地表示氢原子、C1~C6的烷基、C2~C6的链烯基、C2~C6的炔基、硝基、氯、溴、桥氧基或羟基;[化学式4a]
其中在0<x+x′≤2的条件下,x和x′各自独立地表示满足0≤x≤1和0≤x′≤1条件的数字;以及R9~R22各自独立地表示氢原子、C1~C6的烷基、C2~C6的链烯基、C2~C6的炔基、硝基、氯、溴、桥氧基或羟基;以及[化学式5]
其中B为直接键合、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-C(CH3)2-或-C(CF3)2-;以及R23~R30各自独立地表示氢原子、C1~C6的烷基、C2~C6的链烯基、C2~C6的炔基、硝基、氯、溴、桥氧基或羟基。
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