[发明专利]过渡金属的还原方法、使用该方法的含硅聚合物的表面处理方法、过渡金属微粒子的制造方法、物品及电路板的制造方法无效

专利信息
申请号: 200580039516.6 申请日: 2005-11-22
公开(公告)号: CN101061260A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 高桥昌己;岩田健二;渡边洋;后藤谦一;镰田润 申请(专利权)人: 三井化学株式会社
主分类号: C23C18/31 分类号: C23C18/31;C23C18/20;B22F9/18
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 葛松生
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是,提供一种使用廉价的材料对含硅聚合物表面进行金属化处理的表面处理方法。另外,还提供一种对由任意材料构成的基体表面进行金属化或形成配线等金属层的图案,或者制造特定的过渡金属微粒子的方法。本发明的含硅聚合物的表面处理方法和过渡金属微粒子的制造方法的特征是,使特定的过渡金属盐的固体、溶液或悬浮液与有机硅化合物接触,将该过渡金属还原并析出,在该有机硅化合物上或有机硅化合物中析出过渡金属的微粒子或者在有机硅化合物表面上析出该微粒子。
搜索关键词: 过渡 金属 还原 方法 使用 聚合物 表面 处理 微粒子 制造 物品 电路板
【主权项】:
1.过渡金属的还原方法,其特征在于,通过使过渡金属盐的固体、溶液或悬浮液与有机硅化合物接触,将该过渡金属还原并析出,所述的过渡金属盐含有选自铜、镍、铁、钴、钛、钒、锆、钼、钨、铬和锰中的过渡金属作为金属成分,并且其阴抗衡离子可以与硅原子配位。
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