[发明专利]激光照射方法、激光照射装置和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200580036125.9 | 申请日： | 2005-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101044597A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎;山本良明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在使用CW激光器或准CW激光器进行激光退火时，与准分子激光器相比，生产率不高，因此有必要进一步提高生产率。根据本发明，使用基波而不将激光引入非线性光学元件，并且通过用具有高重复频率的脉冲激光照射半导体薄膜来进行激光退火。因为不使用非线性光学元件，并因此光不被转换成谐波，所以可以使用具有高输出功率的激光振荡器来进行激光退火。因此，可以增加通过一次扫描形成的具有大颗粒晶体的区域的宽度，从而可以大大提高生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 照射 方法 装置 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：从激光振荡器发射作为基波的激光束；将该激光束传送到半导体上；以及在相对于该激光束移动该半导体的表面的同时，通过用产生多光子吸收的激光束进行照射来使该半导体晶体化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
