[发明专利]等离子体溅射成膜方法及成膜装置有效
| 申请号： | 200580035895.1 | 申请日： | 2005-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101044258A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 池田太郎;铃木健二;波多野达夫;水泽宁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C23C14/06;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射金属靶(56)而产生金属离子，同时，对载置台(20)施加偏置电力，其中，该电力的大小使在处理体(S)上面通过金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 溅射 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，其特征在于，包括：准备工序，将具有上面和在该上面开口的凹部的被处理体载置在真空处理容器内的载置台上；以及成膜工序，在所述处理容器内利用放电气体的等离子体溅射金属靶而产生金属离子，并且向所述载置台施加其大小能够使在所述被处理体上面通过所述金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过所述放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生的偏置电力，使所述金属膜沉积在所述凹部的侧壁上。
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