[发明专利]咔唑衍生物和使用该咔唑衍生物的发光元件以及发光器件有效

专利信息
申请号: 200580035385.4 申请日: 2005-10-14
公开(公告)号: CN101039909A 公开(公告)日: 2007-09-19
发明(设计)人: 中岛晴恵;川上祥子;熊木大介 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: C07D209/88 分类号: C07D209/88;C09K11/06;H01L51/50
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈哲锋
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供一种具有极佳的空穴注入性质和空穴传输性质的材料,以及提供使用具有极佳的空穴注入性质和空穴传输性质的材料的发光元件和发光器件。本发明提供了通式(1)所示的咔唑衍生物。本发明的咔唑衍生物具有极佳的空穴注入性质。通过使用本发明的咔唑衍生物作为发光元件的空穴注入层的空穴注入材料,可以减小驱动电压。另外,通过将所述材料应用于发光元件或发光器件,可以获得较低的驱动电压、提高发光效率、延长寿命和提高可靠性。
搜索关键词: 衍生物 使用 发光 元件 以及 器件
【主权项】:
1.以下通式(1)所示的咔唑衍生物,式中,R1是选自以下的一种:氢、包含1-6个碳原子的烷基、包含6-25个碳原子的芳基、包含5-9个碳原子的杂芳基、芳基烷基和包含1-7个碳原子的酰基,R2是选自以下的一种:氢、包含1-6个碳原子的烷基和通式(2)所示的取代基,Ar1至Ar6各自是选自包含6-25个碳原子的芳基和包含5-9个碳原子的杂芳基的一种;X和Y各自是选自包含6-25个碳原子的二价芳烃基团和包含5-10个碳原子的二价杂环基的一种。
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