[发明专利]含有硫原子的形成光刻用防反射膜的组合物有效
| 申请号： | 200580034605.1 | 申请日： | 2005-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101040220A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 榎本智之;广井佳臣;中山圭介 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种显示很高的防反射效果、不与光致抗蚀剂发生混合、具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度的可以在半导体器件制造的光刻工序中使用的防反射膜，和用于形成该防反射膜的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用防反射膜的组合物，其含有：将具有硫脲结构的含硫化合物和具有2个以上的被羟甲基或烷氧基甲基取代的氮原子的含氮化合物在酸催化剂的存在下反应获得的反应生成物，和溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 原子 形成 光刻 反射 组合 | ||
【主权项】：
1.一种形成光刻用防反射膜的组合物，其特征在于，含有：在酸催化剂的存在下使含硫化合物和含氮化合物反应而获得的反应生成物、和溶剂，其中，所述的含硫化合物具有式(1)所示的结构作为部分结构，所述的含氮化合物具有2个以上的被羟甲基或烷氧基甲基取代的氮原子。
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