[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法与磁记录和再现设备无效
| 申请号： | 200580034550.4 | 申请日： | 2005-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101040326A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 清水谦治 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65;G11B5/738;G11B5/66;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种具有更高记录密度的垂直磁记录介质，以及利用这种介质的磁记录和再现设备。该垂直磁记录介质至少包括依次形成在非磁性基底上的底层、中间层、垂直磁记录膜以及保护膜，其中，所述垂直磁记录膜由具有不同成分的两层构成，该两层至少包含Co、Pt和氧化物并具有颗粒结构，设置在所述基底一侧的下层垂直磁记录膜的饱和磁化强度(Ms)小于设置在保护膜一侧的在该下层垂直磁记录膜上的上层记录膜的饱和磁化强度(Ms)。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 制造 方法 再现 设备 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质，至少包括依次形成在非磁性基底上的底层、中间层、垂直磁记录膜和保护膜，其中所述垂直磁记录膜由包括颗粒结构的两层构成，其中至少包含Co、Pt和氧化物，并且设置在基底侧的下层垂直磁记录膜的饱和磁化强度(Ms)小于设置在保护膜侧的上层垂直磁记录膜的饱和磁化强度(Ms)。
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