[发明专利]离子束植入电流、点宽与位置调校有效
| 申请号： | 200580033847.9 | 申请日： | 2005-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN101076875A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 张升吾;安东尼勒·可雀帝;约瑟·P·迪宰桔雷斯契;葛列格里·R·吉本雷洛;罗扎里欧·马雷卡;葛桔·A·洛里斯;约瑟·C·欧尔森;马黎耶·J·威尔旭 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 植入 电流 位置 调校 | ||
【主权项】：
1.一种调校离子植入装置系统离子束的方法，其特征在于该方法包括下列步骤：获得离子束轮廓；以及基于该离子束轮廓，来调校该离子植入装置系统，使估计的植入电流最大化，并同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。
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