[发明专利]在形成硅化镍之前对硅进行的处理无效
| 申请号： | 200580033542.8 | 申请日： | 2005-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101036230A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 休－埃伦·克兰克;希林·西迪基;德博拉·J·赖利;特雷斯·昆廷·赫德;佩君·J·陈 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/76;H01L21/283;H01L31/062;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种制备半导体电路小片的方法，其包括：在形成硅化物(105)之前，预处理暴露的硅(101)以形成氧化物(110)；及在氧化物上沉积金属(120)。在所揭示实施例中，化学氧化物表面预处理会减缓镍(Ni)的扩散，以使NiSi硅化物的形成受控。此会解决Ni快速扩散及Ni掩饰Si硅瑕疵这一问题。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 硅化镍 之前 进行 处理 | ||
【主权项】：
1、一种制备电路小片的方法，其包括：在硅化物形成之前，处理暴露的硅以形成氧化物；及在所述氧化物上沉积金属。
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