[发明专利]改善等离子体蚀刻均匀性的方法和设备无效
| 申请号： | 200580032034.8 | 申请日： | 2005-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101048842A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 鲁塞尔·韦斯特曼;大卫·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 优利讯美国有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于改善在等离子体蚀刻工艺期间衬底上的蚀刻均匀性的方法和设备，该等离子体蚀刻工艺使用感应耦合等离子体螺旋感应器。该等离子体设备包括真空腔，真空腔中的用于保持衬底的支撑部件，用于向真空腔提供蚀刻气体的蚀刻气体供应器，与真空腔流体相通的排气装置，RF电源和布置在一部分真空腔周围或附近的螺旋感应器。提供传感器，用于测量工艺属性，以向控制器产生信号，然后控制器控制下述机构，该机构改变螺旋感应器的位置，从而提高等离子体蚀刻的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 等离子体 蚀刻 均匀 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻衬底的设备，包括：真空腔；所述真空腔中的用于保持衬底的支撑部件；用于向所述真空腔提供蚀刻气体的蚀刻气体供应器；RF电源；布置在一部分所述真空腔周围或附近的螺旋感应器，所述螺旋感应器与所述蚀刻气体感应耦合能量，以在所述真空腔中形成等离子体；与所述真空腔流体相通的排气装置；和用于改变所述螺旋感应器的位置的机构。
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