[发明专利]光学记录介质无效

专利信息
申请号: 200580030664.1 申请日: 2005-07-14
公开(公告)号: CN101018672A 公开(公告)日: 2007-08-15
发明(设计)人: 让原肇;花冈克成;柴田清人;金子裕治郎;岩佐博之 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: B41M5/26 分类号: B41M5/26;G11B7/24
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种光学记录介质,其包括利用与由激光束辐射引起的非晶相和晶相之间的可逆相变相关的光学常数的层。该相变记录层包括Ge、Sb、Sn、Mn和X。X代表选自于In、Bi、Te、Ag、Al、Zn、Co、Ni和Cu中的至少一种元素。当其各个含量的关系由GeαSbβSnγMnδXε表示且α、β、γ、δ和ε的元素分别满足下面的数学表达式:α+β+γ+δ+ε=100时,5≤α≤25,45≤β≤75,1 0≤γ≤30,0.5≤δ≤20和0≤ε≤15(原子%),并且Ge、Sb、Sn、Mn和X的总含量为该相变记录层总量的至少95原子%。
搜索关键词: 光学 记录 介质
【主权项】:
1、一种光学记录介质,包括:基板,第一保护层,相变记录层,第二保护层,和反射层,其中该相变记录层是利用与由激光束辐射引起的非晶相和晶相之间的可逆相变相关的光学常数的层,并且包括Ge、Sb、Sn、Mn和X,其中X代表选自In、Bi、Te、Ag、Al、Zn、Co、Ni和Cu中的至少一种元素,其中,当所述Ge、Sb、Sn、Mn和X的各自含量的关系由GeαSbβSnγMnδXε表示时,α、β、γ、δ和ε的元素分别满足下面的数学表达式:5≤α≤25,45≤β≤75,10≤γ≤30,0.5≤δ≤20和0≤ε≤15,其中,当α+β+γ+δ+ε=100时,α、β、γ、δ和ε分别代表原子%,以及,其中,Ge、Sb、Sn、Mn和X的含量总和为该相变记录层总量的至少95原子%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社理光,未经株式会社理光许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580030664.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top