[发明专利]光学记录介质无效
申请号: | 200580030664.1 | 申请日: | 2005-07-14 |
公开(公告)号: | CN101018672A | 公开(公告)日: | 2007-08-15 |
发明(设计)人: | 让原肇;花冈克成;柴田清人;金子裕治郎;岩佐博之 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | B41M5/26 | 分类号: | B41M5/26;G11B7/24 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光学记录介质,其包括利用与由激光束辐射引起的非晶相和晶相之间的可逆相变相关的光学常数的层。该相变记录层包括Ge、Sb、Sn、Mn和X。X代表选自于In、Bi、Te、Ag、Al、Zn、Co、Ni和Cu中的至少一种元素。当其各个含量的关系由GeαSbβSnγMnδXε表示且α、β、γ、δ和ε的元素分别满足下面的数学表达式:α+β+γ+δ+ε=100时,5≤α≤25,45≤β≤75,1 0≤γ≤30,0.5≤δ≤20和0≤ε≤15(原子%),并且Ge、Sb、Sn、Mn和X的总含量为该相变记录层总量的至少95原子%。 | ||
搜索关键词: | 光学 记录 介质 | ||
【主权项】:
1、一种光学记录介质,包括:基板,第一保护层,相变记录层,第二保护层,和反射层,其中该相变记录层是利用与由激光束辐射引起的非晶相和晶相之间的可逆相变相关的光学常数的层,并且包括Ge、Sb、Sn、Mn和X,其中X代表选自In、Bi、Te、Ag、Al、Zn、Co、Ni和Cu中的至少一种元素,其中,当所述Ge、Sb、Sn、Mn和X的各自含量的关系由GeαSbβSnγMnδXε表示时,α、β、γ、δ和ε的元素分别满足下面的数学表达式:5≤α≤25,45≤β≤75,10≤γ≤30,0.5≤δ≤20和0≤ε≤15,其中,当α+β+γ+δ+ε=100时,α、β、γ、δ和ε分别代表原子%,以及,其中,Ge、Sb、Sn、Mn和X的含量总和为该相变记录层总量的至少95原子%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社理光,未经株式会社理光许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580030664.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:碳纳米管的分离方法、分散液及用该分离方法得到的碳纳米管
- 下一篇:船用柴油机