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[发明专利]信息记录方法、信息记录介质和信息记录装置-CN200780001349.5无效
发明人：日比野荣子;金子裕治郎;大仓浩子 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G11B7/0045 文献下载
摘要：一种信息记录方法，该方法通过根据记录策略照射光束脉冲到信息记录介质上，在以具有nT时长的记录标记的形式的信息记录介质上记录信息，所述记录策略包含下列步骤：通过将所述光束脉冲的功率控制到至少三个值Pw、Pb和Pe之一(Pw＞Pe＞Pb)，并且交替地照射具有被设置到Pw的功率的加热脉冲和具有被设置到Pb的功率的冷却脉冲到所述信息记录介质上，在所述记录介质上形成所述记录标记；通过照射具有所述功率Pe的所述光束脉冲而在所述记录介质上在所述记录标记之后形成空区，每当所述记录标记的所述时长增加2T时，所述记录策略将所述加热脉冲的数量增加1，当形成至少2T时长的记录标记时，所述记录策略分别至少在形成2T空区长度的情况和形成3T空区长度或更长空区长度的情况下，在当前形成的记录标记之前或之后，为第一加热脉冲设置加热脉冲起始时间sTtop和加热脉冲终止时间eTtop。
信息记录方法介质装置

[发明专利]光学记录介质-CN200680031110.8无效
发明人：让原肇;岩佐博之;花冈克成;柴田清人;金子裕治郎 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： G11B7/254 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种光学记录介质，包括：基底和依次设置在基底上的反射层、第二介电层、记录层和第一介电层，其中记录层包括含有GeSbSnMn和GeSbSnMnGa中任何一种的相变记录材料，并且第二介电层包括Nb、Si和Ta中两种或多种元素的氧化物。
光学记录介质

[发明专利]光学记录介质-CN200580030664.1无效
发明人：让原肇;花冈克成;柴田清人;金子裕治郎;岩佐博之 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2005-07-14 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： B41M5/26 文献下载
摘要：一种光学记录介质，其包括利用与由激光束辐射引起的非晶相和晶相之间的可逆相变相关的光学常数的层。该相变记录层包括Ge、Sb、Sn、Mn和X。X代表选自于In、Bi、Te、Ag、Al、Zn、Co、Ni和Cu中的至少一种元素。当其各个含量的关系由GeαSbβSnγMnδXε表示且α、β、γ、δ和ε的元素分别满足下面的数学表达式：α+β+γ+δ+ε＝100时，5≤α≤25，45≤β≤75，1 0≤γ≤30，0.5≤δ≤20和0≤ε≤15(原子％)，并且Ge、Sb、Sn、Mn和X的总含量为该相变记录层总量的至少95原子％。
光学记录介质