[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200580030578.0 | 申请日： | 2005-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101044627A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 桧垣欣成;坂仓真之;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是连接用两种不相容的膜(ITO膜和铝膜)构成的引线、电极等，同时不增大该引线的横截面面积，并且即使屏幕尺寸变得更大也能够实现低功耗。本发明提供了一种包括上层和下层的双层结构，下层宽度大于上层宽度。第一导电层是用Ti和Mo构成的，第二导电层是用铝(纯净的铝)构成的，第二导电层具有低电阻且位于第一导电层上。从上层的端部突出来的那部分下层与ITO接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：透明导电膜和具有半导体薄膜的多个薄膜晶体管，它们都在具有绝缘表面的基板上；以及电极或引线，它是通过层叠与所述半导体薄膜相接触的第一导电层和在所述第一导电层上的第二导电层而构成的；其中所述第一导电层具有比所述第二导电层更大的宽度，以及其中所述透明导电膜与从所述第二导电层的端部延伸出的一部分第一导电膜相接触。
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