[发明专利]校正方法及曝光装置

摘要

本发明提供一种校正方法及曝光装置，其特征在于，在步骤602中，将所置入的晶片的坐标格(grid)例如利用最高3次的函数拟合而近似，在步骤612中，将取样照射区域的藉该函数所得的位置与实测位置的余数大小和既定阈值比较，按照其比较结果，选择以子路径614的函数模式进行GCM测量、或以子路径616的映图模式(map mode)进行测量。此外，在各批内，对各晶片，按照晶片的温度变化(步骤622)，晶片间的随机误差变动(步骤624)，判断是否从该晶片取出非线性成分。

主权项

1、一种校正方法，是对依序置入曝光装置的复数个感光物体，分别转印形成复数个分隔区域时，进行各所述感光物体的位置的校正，其特征在于，所述校正方法包含以下步骤：选择步骤，根据有关所述曝光装置及置入该曝光装置的感光物体的至少一方的既定信息，考虑作为所述各分隔区域形成位置的基准的二维坐标格的非线性成分，选择为了校正所述感光物体的位置而设置于所述曝光装置的校正功能，也即从能考虑的非线性成分的次数分别不同的复数种校正功能中，选择至少一种功能。