[发明专利]大气压化学气相淀积有效
| 申请号： | 200580028242.0 | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101432457A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | N·W·约翰斯顿 | 申请（专利权）人： | 太阳领域有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/56;C23C14/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温宏艳;赵苏林 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在大气压下涂覆衬底的方法，该方法包含下列步骤：在加热的惰性气流中在基本上大气压下蒸发可控质量的半导体材料，以产生具有高于该半导体材料凝结温度的温度的流体混合物；在基本上大气压下将该流体混合物引导到具有低于该半导体材料凝结温度的温度的衬底上；并且在该衬底的表面上淀积一层该半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 大气压 化学 气相淀积 | ||
【主权项】：
1. 一种用于在大气压下涂覆衬底的方法，该方法包含下列步骤：在加热惰性气体流中，在基本上大气压下，蒸发可控质量的半导体材料，以产生具有高于该半导体材料凝结温度的温度的流体混合物；在基本上大气压下，引导该流体混合物到具有低于该半导体材料凝结温度的温度的衬底上；和在该衬底的表面上淀积一层该半导体材料。
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