[发明专利]高容量光学存储介质

摘要

本发明涉及包括基层、反射层和记录层的光学记录介质，其中记录层包括式(I)化合物或其内消旋或互变异构体形式，其中M₁是+3氧化态的金属阳离子、羟基或其中金属是+4氧化态的卤化金属基团或其中金属是+5氧化态的氧代金属基团；(III)和(IV)分别独立于其它(V)、(VI)或(VII)；(VII)是(IX)、(X)、(XI)、(XII)、(XIII)或(XIV)；(XV)是(XVI)或C₂－C₈杂芳基，所述杂芳基是未取代的或者被R₁₀、R₁₁、R₁₂和/或R₁₃单取代或多取代；Q₁是N或CR₁₈，Q₂是N或CR₁₉，Q₃、Q₅和Q₇分别彼此独立地为CR₂₀R₂₁、O、S或NR₂₂，Q₄是CR₁₆或N，并且Q₆是CR₁₇或N；以及R₂和/或R₆是O、S或NR₃₃。对于其它较不相关的取代基请参见说明书的公开。式(I)化合物是新的并且也要求保护，以及式(II)化合物或其内消旋或互变异构体形式，其中R₃₈是卤素、CF₃、NO₂、CN、COR₂₂、COOR₂₃、SO₃R₂₃、NCO或SCN，G₁、G₂、M₁、R₁、R₂、R₄、R₅、R₆、R₈、R₂₂和R₂₃如式(I)中所定义，M₂^m+是具有m个正电荷的阳离子，并且m是整数1、2或3。该光学记录介质特别适于，尤其是在高记录速度下适于DVD±R(658nm)。

主权项

1.包括基层、反射层和记录层的光学记录介质，其中记录层包括下式的化合物：或其内消旋或互变异构体形式，其中M1是+3氧化态的金属阳离子、羟基或其中金属是+4氧化态的卤化金属基团或其中金属是+5氧化态的氧代金属基团；和分别彼此独立地为或是或是或C2-C8杂芳基，所述杂芳基是未取代的或者被R10、R11、R12和/或R13 单取代或多取代；Q1是N或CR18，Q2是N或CR19，Q3、Q5和Q7分别彼此独立地为CR20R21、O、S或NR22，Q4是CR16或N，并且Q6是CR17或N；R1、R3、R4、R5、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R15、R16、R17、R18和R19分别彼此独立地为H、卤素、OR23、SR23、NR22R24、NR22COR25、NR22COOR26、NR22CONR26R27、NR22CN、OSiR22R25R28、COR22、CR22OR25OR28、NO2、CN、COOR23、CONR26R27、SO2R22、SO2NR26R27、SO3R26、PO(OR22)(OR25)；C1-C6烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基、C3-C6环烷基、C3-C6环烯基或C2-C5杂环烷基，所述基团分别是未取代的或者被下列基团单取代或多取代：卤素、OR23、SR23、NR22R24、NR22COR25、NR22COOR23、NR22CONR26R27、NR22CN、COR22、CR22OR25OR28、NO2、CN、COOR23、CONR26R27和/或SO2R26；或C7-C11 芳烷基、C6-C10芳基或C1-C8杂芳基，所述基团分别是未取代的或者被下列基团单取代或多取代：C1-C4烷基、卤素、OR23、SR23、NR22R24、COR22、NO2、CN和/或COOC1-C4烷基；或者R15和R16或者R15和R17一起成对地是由此与它们所结合的两个相邻碳一起形成苯环；R2和/或R6是O、S或NR33；R14是C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C1-C12杂环烷基、C2-C12链烯基、C3-C12环烯基、C4-C12杂环烯基、C7-C12芳烷基、C1-C9杂芳基、C2-C11 杂芳烷基、C6-C12芳基或被1-5个非连续氧和/或硫原子间断和/或被1-5个相同或不同的基团NR22间断的C1-C12烷基，所述基团分别是未取代的或者被下列基团单取代或多取代：卤素、OR23、SR23、NR22R24、NR22COR25、NR22COOR26、NR22CONR26R27、NR22CN、OSiR22R25R28、COR22、CR22OR25OR28、NO2、CN、COOR23、CONR26R27、SO2R22、SO2NR26R27、SO3R26或PO(OR22)(OR25)；R20和R21分别彼此独立地为C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C2-C12炔基、C7-C12芳烷基、C3-C12环烷基、C3-C12环烯基或C2-C11杂环烷基，所述基团分别是未取代的或者被下列基团单取代或多取代：卤素、OR23、SR23、NR22R24、NR22COR25、NR22COOR23、NR22CONR26R27、NR22CN、COR22、CR22OR25OR28、NO2、CN、COOR23、CONR26R27和/或SO2R26；或者R20和R21一起是C2-C12亚烷基、C2-C12亚链烯基、C2-C12亚环烷基或C2-C12亚环烯基，其中所述基团的1-5个非连续碳原子可被氧和/或硫原子代替和/或被相同或不同的基团NR22代替，所述C2-C12亚烷基、C2-C12亚链烯基、C2-C12亚环烷基或C2-C12亚环烯基分别是未取代的或者被下列基团单取代或多取代：卤素、OR23、SR23、NR22R24、NR22COR25、NR22COOR23、NR22CONR26R27、NR22CN、COR22、CR22OR25OR28、NO2、CN、COOR23、CONR26R27和/或SO2R26；R22、R25和R28分别彼此独立地为氢；C1-C4烷基、C2-C4链烯基、C2-C4炔基、[C2-C3亚烷基-O-]k-R34或[C2-C3亚烷基-NR35-]k-R34，所述基团分别是未取代的或者被卤素单取代或多取代；或苄基；每个R23独立于任何其它R23，并且是R24或R33，优选为H；R24、R26和R27分别彼此独立地为H；C1-C6烷基、C2-C6链烯基、C2-C6炔基、C3-C6环烷基、C3-C6环烯基或C2-C5杂环烷基，所述基团分别是未取代的或者被下列基团单取代或多取代：卤素、OR23、SR23、NR22R28、CN和/或COOR22；或C6-C10芳基、C7-C11芳烷基或C1-C8 杂芳基，所述基团分别是未取代的或者被下列基团单取代或多取代：C1-C4烷基、卤素、OR23、SR23、NR22R25、COR22、CR22OR25OR28、NO2、CN和/或COOR28；或者NR22R24、NR22R25、NR25R28或NR26R27是5或6元杂环，所述杂环可以含有另外的N或O原子，并且可以被甲基或乙基单取代或多取代；R29、R30、R31和R32分别彼此独立地为H、C1-C4烷基、卤素、OR23、SR23、NR22R24、COR22、NO2、CN和/或COOC1-C4烷基；R33是COR24、CONR26R27、CN、SO2NR26R27或SO2R26；R34和R35分别彼此独立地为甲基、乙基、乙烯基和/或烯丙基；分别选自下列的相同或不同取代基可以经由直接的键或者-O-、-S-或-N(R35)-桥而彼此成对地键合一次或多次：R1、R3、R4、R5、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R22、R23、R24、R25、R26、R28、R29、R30、R31、R32、R34和R36，任选形成包含两个或更多个相同或不同的式(I)部分的二聚体、三聚体或低聚体；k是1、2、3或4；并且n是1、2或3。