专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果3个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]高容量光学存储介质-CN200580028164.4无效
  • J·-P·巴彻;G·鲍丁;F·温德博尔恩;J·-M·阿当;U·莱曼;J·-L·比尔鲍姆 - 西巴特殊化学品控股有限公司
  • 2005-07-06 - 2007-07-25 - C09B69/02
  • 本发明涉及包括基层、反射层和记录层的光学记录介质,其中记录层包括式(I)化合物或其内消旋或互变异构体形式,其中M1是+3氧化态的金属阳离子、羟基或其中金属是+4氧化态的卤化金属基团或其中金属是+5氧化态的氧代金属基团;(III)和(IV)分别独立于其它(V)、(VI)或(VII);(VII)是(IX)、(X)、(XI)、(XII)、(XIII)或(XIV);(XV)是(XVI)或C2-C8杂芳基,所述杂芳基是未取代的或者被R10、R11、R12和/或R13单取代或多取代;Q1是N或CR18,Q2是N或CR19,Q3、Q5和Q7分别彼此独立地为CR20R21、O、S或NR22,Q4是CR16或N,并且Q6是CR17或N;以及R2和/或R6是O、S或NR33。对于其它较不相关的取代基请参见说明书的公开。式(I)化合物是新的并且也要求保护,以及式(II)化合物或其内消旋或互变异构体形式,其中R38是卤素、CF3、NO2、CN、COR22、COOR23、SO3R23、NCO或SCN,G1、G2、M1、R1、R2、R4、R5、R6、R8、R22和R23如式(I)中所定义,M2m+是具有m个正电荷的阳离子,并且m是整数1、2或3。该光学记录介质特别适于,尤其是在高记录速度下适于DVD±R(658nm)。
  • 容量光学存储介质

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top