[发明专利]用于制造横向半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200580026962.3 | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101002370A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | G·R·纳什;J·H·杰斐森;K·J·纳什 | 申请（专利权）人： | 秦内蒂克有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;梁永 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种横向结半导体器件及其制造方法，该方法包括步骤：形成具有叠层的半导体结构(2)，该叠层通过设置成多个基本平行平面的多层半导体材料形成，其中第一层(4)中的半导体材料具有第一浓度的第一极性的过剩电荷载流子，并从第一层(4)选择性去除半导体材料至一个沿第一方向变化的深度，该第一方向基本上平行于结构中的层平面，以提供沿第一方向的在有源层(8)中第一极性的电荷载流子的浓度梯度。一种光子源，其包含所述横向结半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 横向 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造横向结半导体器件的方法，包括步骤：(i)形成具有叠层的半导体结构(2)，其中叠层是通过设置成多个基本平行平面的多层半导体材料(4，6，8)形成，第一层(4)中的半导体材料具有第一浓度的第一极性的过剩电荷载流子，和(ii)从第一层(4)选择性去除半导体材料至一个沿第一方向变化的深度，该第一方向基本上平行于结构中的层平面，以提供沿第一方向在有源层(8)中的第一极性的电荷载流子的浓度梯度。
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