[发明专利]通过温度测量改善半导体存储装置中的动态刷新的设备和方法有效
申请号: | 200580026756.2 | 申请日: | 2005-07-01 |
公开(公告)号: | CN1993765A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | R·M·沃克;P·W·小雷马克鲁斯 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 沙捷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文公开了一种存储系统和用于刷新存储器的处理。存储系统包括存储器、配置成测量存储器温度的温度传感器,和配置成以刷新速率来刷新存储器的存储器控制器,刷新速率被控制为由温度传感器测量的温度的函数。 | ||
搜索关键词: | 通过 温度 测量 改善 半导体 存储 装置 中的 动态 刷新 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储系统,包括:存储器;温度传感器,其被配置成测量所述存储器的温度;和存储器控制器,其被配置成以刷新速率来刷新所述存储器,所述刷新速率被控制为由所述温度传感器测量的温度的函数。
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