[发明专利]形成互连件的方法无效
| 申请号： | 200580025985.2 | 申请日： | 2005-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1993822A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | J·－G·翁;R·帕拉萨德;C·G·阿丁顿;P·S·奈霍尔姆 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/288 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;赵苏林 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了形成互连件(172)的方法、装置、设备、和/或系统的实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：施加电磁辐射(180)到多层设备(100，136)的一个或多个部分以烧蚀所述多层设备的所述一个或多个部分；选择性施加一种或多种材料(176)到靠近进行所述烧蚀的所述多层设备的地方；和提供电磁辐射(180)到所述一种或多种材料(176)来固化所述材料的一部分以形成互连件(172)的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
