[发明专利]磁记录介质基底及其制造方法、磁记录介质以及磁记录装置有效
| 申请号： | 200580020548.1 | 申请日： | 2005-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1973322A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 松村有希久;会田克昭 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/73 | 分类号： | G11B5/73;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是由B2O3－Al2O3－SiO2－Li2O型非晶玻璃制成的磁记录介质基底，其中在所述基底的外周侧或内周侧处的端面和所述基底的主平面之间形成倒角，并且在所述内或外周侧端面的表面区域和所述倒角的表面区域处的钠和钾的含量大于所述磁记录介质基底的钠和钾的平均含量。利用本发明，可以防止由于在由包括锂的非晶玻璃制成的磁记录介质基底中锂离子的移动而在磁性膜、保护膜等上产生凸起。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 基底 及其 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种由包括锂的非晶玻璃制成的磁记录介质基底，其中所述基底由B2O3-Al2O3-SiO2-Li2O型非晶玻璃制成，在所述基底的外周侧或内周侧处的端面和所述基底的主平面之间形成倒角，并且在所述内/外周侧端面的表面区域和所述倒角的表面区域处的钠和钾的含量大于所述磁记录介质基底的钠和钾的平均含量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580020548.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：局部用美沙酮组合物及其用法
- 下一篇：会话控制装置
