[发明专利]EUV光源、EUV曝光装置及半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200580020010.0 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1969372A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 村上胜彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;G21K5/02;G21K5/08;H05G2/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种EUV光源、EUV曝光装置及半导体元件的制造方法。在被加热的容器(4)内，收纳有使Sn固体微粒在树脂中分散的液体。由加压泵进行加压的树脂被导向喷嘴(1)，并从真空室(7)内所设置的喷嘴(1)的顶端喷出液体状的树脂。从喷嘴(1)所喷出的液体状的液体由表面张力而形成球形的形状，并在真空中被冷却而固化，形成固体状的标靶(2)。在真空室(7)内设置有激光光导入用的激光导入窗(10)，且从真空室(7)的外面所配置的激光光源(8)产生的激光光，由透镜(9)被聚光并导向真空室(7)内，将标靶等离子化而产生EUV光。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光源 曝光 装置 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种EUV光源，是一种从标靶生成等离子体，并放射该等离子体所产生的EUV光的等离子体EUV光源，其特征在于：前述标靶为在媒体中被分散的固体的标靶微粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康，未经株式会社尼康许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580020010.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
