[发明专利]解析方法、曝光装置及曝光装置系统无效
申请号: | 200580019791.1 | 申请日: | 2005-04-25 |
公开(公告)号: | CN1969370A | 公开(公告)日: | 2007-05-23 |
发明(设计)人: | 白石健一 | 申请(专利权)人: | 尼康股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明为提供一解析方法,能容易且适当对相关于处理程式(recipe)或处理单元(unit)的组合的元件制造上的测量资料进行分析。依本发明的解析方法,将例如线宽精度或重叠精度等曝光结果的特性,从各批次(lot)的曝光处理结果任意检出,将该特性,与呈现该特性所进行的曝光处理时例如处理程式、曝光装置、或曝光前后处理装置(track)中的处理单元或其组合,建立对应关系而分类之。又,根据其分类结果来判定,曝光结果的特性是否与特定的处理程式或处理单元有相关性。在具有相关性时,在其后,于使用该处理程式或处理单元的批次投入时,则发出警告或施以自动修正等,以防止施以精度不佳的处理。 | ||
搜索关键词: | 解析 方法 曝光 装置 系统 | ||
【主权项】:
1、一种解析方法,其特征在于具备以下步骤:检测出将曝光对象曝光后所得的曝光结果的既定特性;检测处理程式,该处理程式是用以限定对该曝光对象进行包含该曝光的微影步骤的既定处理条件;将所检测的该曝光结果的既定特性,依处理程式别作分类;及检测出该曝光结果的既定特性对该处理程式的相关性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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