[发明专利]化合物半导体器件晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200580019066.4 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1965393A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 楠木克辉 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是提供一种制造化合物半导体器件晶片的方法，所述方法能够精确地且以相当高的成品率解理晶片，获得高处理速度，并提高生产率。本发明方法用于制造化合物半导体晶片，所述晶片包括衬底和多个化合物半导体器件，所述多个化合物器件设置在所述衬底上并且排列有设置在所述化合物半导体器件之间的分离区，所述方法包括以下步骤：在所述分离区处所述衬底的顶面(即所述化合物半导体侧的表面)上，在化合物半导体层存在于所述衬底的所述顶面上的条件下，通过激光处理形成分离槽。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造化合物半导体器件晶片的方法，所述晶片包括衬底和多个化合物半导体器件，所述多个化合物器件设置在所述衬底上并且排列有设置在所述化合物半导体器件之间的分离区，所述方法包括以下步骤：在所述分离区处所述衬底的顶面(即所述化合物半导体侧的表面)上，在化合物半导体层存在于所述衬底的所述顶面上的条件下，通过激光处理形成分离槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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