[发明专利]光电转换元件用材料及光电转换元件有效
申请号: | 200580017836.1 | 申请日: | 2005-05-31 |
公开(公告)号: | CN1981384A | 公开(公告)日: | 2007-06-13 |
发明(设计)人: | 高桥保;武舍清 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人科学技术振兴机构;株式会社艾迪科 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;C07C15/20;C07C25/22;C07C69/76;C07C255/52;H01M14/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种由用通式(I)表示的并多苯芳烃衍生物而形成的光电转换元件用材料、以及使用了该材料的光电转换元件。该光电转换元件用材料的加工性和生产率好、毒性低、易于柔性化、且光电转换效率良好。在通式(I)中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、A1、A2、A3以及A4分别是相互独立且相同或不同的氢原子、卤素原子、也可以有取代基的碳原子数为1~40的烃基等,n是1以上的整数。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 用材 料及 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换元件用材料,其由用下述通式(I)表示的并多苯芳烃衍生物形成,
式中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、以及R8分别是相互独立且相同或不同的氢原子、卤素原子;也可以有取代基的碳原子数为1~40的烃基、也可以有取代基的碳原子数为1~40的烷氧基、也可以有取代基的碳原子数为6~40的芳氧基、也可以有取代基的氨基、羟基、或也可以有取代基的甲硅烷基;A1、A2、A3、以及A4分别是相互独立且相同或不同的氢原子、卤素原子、也可以有取代基的碳原子数为1~40的烃基、也可以有取代基的碳原子数为1~40的烷氧基、也可以有取代基的碳原子数为6~40的芳氧基、也可以有取代基的碳原子数为7~40的烷基芳氧基、也可以有取代基的碳原子数为2~40的烷氧羰基、也可以有取代基的碳原子数为7~40的芳氧羰基、氰基(-CN)、氨基甲酰基(-C(=O)NH2)、酰卤基(-C(=O)-X)、醛基(-C(=O)-H)、异氰基、异氰酸酯基、硫代氰酸酯基或硫代异氰酸酯基,上式中X表示卤素原子;另外,A1及A2、A3及A4也可以相互交联,形成用式-C(=O)-B-C(=O)-表示的环,式中B为氧原子或用式-N(B1)-表示的基团,B1为氢原子、碳原子数为1~40的烃基、或卤素原子;或者,A3及A4也可以相互交联而形成碳原子数为4~40的饱和或不饱和的环,所述饱和或不饱和的环也可以被氧原子、硫原子、或用式-N(R11)-表示的基团插入,并且也可以有取代基,上式中R11为氢原子或烃基;n是1以上的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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